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【2h】

Analysis of Threshold Voltage Flexibility in Ultrathin-BOX SOI FinFETs

机译：超薄BOX sOI FinFET中阈值电压灵活性分析

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Kazuhiko Endo; Shinji Migita; Yuki Ishikawa; Takashi Matsukawa; Shin-ichi O'uchi; Junji Tsukada; Wataru Mizubayashi; Yukinori Morita; Hiroyuki Ota; Hitomi Yamauchi; Meishoku Masahara;
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年度 2014
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1. Analysis of Threshold Voltage Flexibility in Ultrathin-BOX SOI FinFETs † [J] . Hiroyuki Ota, Hitomi Yamauchi, Junji Tsukada, Journal of Low Power Electronics and Applications . 2014,第2期

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2. Demonstration of Asymmetric Gate-Oxide Thickness Four-Terminal FinFETs Having Flexible Threshold Voltage and Good Subthreshold Slope [J] . Masahara M., Surdeanu R., Witters L., IEEE Electron Device Letters . 2007,第期

机译：具有灵活的阈值电压和良好的亚阈值斜率的不对称栅氧化层厚度四端子FinFET的演示
3. 3D analytical modeling of surface potential, threshold voltage, and subthreshold swing in dual-material-gate (DMG) SOI FinFETs [J] . Rajesh Saha, Srimanta Baishya, Brinda Bhowmick Journal of Computational Electronics . 2018,第1期

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4. Analysis of Vth flexibility in ultrathin-BOX SOI FinFETs [C] . Endo K., Ishikawa Y., Liu Y., IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference . 2013

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5. 3D analysis of Self-Heating and its impact on performance of SOI and Bulk FinFET. [D] . Shah, Archit. 2016

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6. Tuning the threshold voltage of carbon nanotube transistors by n-type molecular doping for robust and flexible complementary circuits [O] . Huiliang Wang, Peng Wei, Yaoxuan Li, 2014

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7. Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects [O] . Y. Kobayashia, Angada B. Sachidc, K. Tsutsuia, 2016

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